近年来，碳化硅（SiC）功率半导体市场经历了从价格高企到快速下跌的剧烈波动，而时至今日，这一局面正在发生微妙变化。多位业内人士向记者透露，国内碳化硅器件价格已基本实现“止跌趋稳”，部分高压MOSFET、IGBT等产品甚至展现出较大涨价弹性，预计下半年仍有进一步上行空间。
价格历经“过山车”，供需格局趋于平衡
过去两年，随着国内碳化硅产能的快速释放，市场一度出现供过于求的局面，产品价格持续走低，部分型号跌幅超过30%。然而，进入2024年以来，下游需求逐步回暖，尤其是新能源汽车、光伏逆变器、储能系统等应用领域对高压、高频、高可靠性功率器件的需求持续增长，推动碳化硅市场供需关系出现转折。
三安光电公司人士在接受记者采访时表示：“目前国内的碳化硅功率半导体暂时还没有看到涨价，只能说价格‘止跌趋稳’。”该人士进一步解释，经过前期的价格调整，产业链上下游已逐步消化了库存压力，部分低端产品虽仍有降价压力，但主流器件价格已基本稳定。
高压MOS、IGBT率先领涨，下半年涨势可期
中科英智基金合伙人王洲则给出了更为乐观的判断。他在分析当前市场趋势时指出：“碳化硅今年已有反转趋势，高压MOS、IGBT等产品均呈现了比较大的价格上涨的弹性，并且今年下半年可能仍有上涨空间。”
王洲分析认为，这一轮价格上涨主要受三大因素驱动：一是上游衬底和外延片产能爬坡速度低于预期，尤其是6英寸和8英寸衬底良率提升缓慢，导致高品质碳化硅材料供给偏紧；二是车规级和工业级认证周期长，具备量产能力的企业有限，优质产能稀缺；三是高压应用场景对器件的可靠性要求极高，高等级产品溢价空间更大。
以1200V及以上规格的碳化硅MOSFET为例，该产品广泛应用于电动汽车主驱逆变器、直流快充桩、光伏逆变器等核心环节。随着800V高压平台成为新能源汽车主流技术路线，碳化硅MOSFET的需求量快速攀升，部分高端型号已出现交付周期延长、价格上调的现象。同样，碳化硅IGBT在工业变频、电网、轨道交通等领域的应用也在加速渗透，推动了相关产品价格走强。
国产替代加速，市场空间广阔
从全球视角来看，碳化硅市场长期由Wolfspeed、意法半导体、英飞凌等国际巨头主导，但近年来国内企业如三安光电、天岳先进、中科英智等加速布局，技术水平和产能规模均有显著提升。三安光电已实现6英寸碳化硅衬底自给，并推进8英寸量产计划；中科英智则在器件封装和应用方案上形成差异化优势。
王洲强调：“国产碳化硅产业链的优势正在从‘够用’向‘好用’转变，尤其在车规级器件方面，国内厂商已经进入了主流车企的供应链体系，这为后续价格稳定甚至上涨提供了坚实基础。”
业内人士普遍认为，随着全球能源转型和电动化加速，碳化硅材料因其宽禁带、高击穿场强、高导热率等优异特性，将成为未来功率半导体的核心材料。预计到2028年，全球碳化硅器件市场规模将突破150亿美元。在这一背景下，当前的价格“止跌趋稳”或只是新一轮价值回归的起点。
风险与挑战并存，行业仍需保持谨慎
尽管市场前景乐观，但碳化硅产业仍面临不确定性。一方面，原材料价格波动、技术路线迭代（如8英寸衬底大规模替代6英寸）可能带来产能过剩风险；另一方面，国际竞争激烈，贸易摩擦等因素可能影响国产替代进程。此外，下游客户对价格的敏感度较高，若涨价幅度过大，可能倒逼部分终端加快引入硅基IGBT或其他替代方案。
三安光电人士也提醒，目前碳化硅行业仍未完全走出观望期，部分产品涨价更多是结构性、局部性的，全面涨价尚需市场进一步确认。但可以肯定的是，碳化硅器件价格已告别单边下跌阶段，行业正进入一个供需再平衡的新周期。
总体而言，碳化硅器件价格“止跌趋稳”的信号，不仅反映了市场供需关系的积极变化，也标志着国内碳化硅产业从高速扩张转向高质量发展。在新能源汽车、光伏储能等新兴领域的强力拉动下，碳化硅市场正迎来新一轮价值重塑。