7月16日，国内动态随机存取存储器（DRAM）领军企业长鑫科技（股票代码：688XXX）将正式启动新股申购。 根据招股书披露，本次发行价格为28.68元/股，发行市盈率为42.5倍，预计募集资金总额约108亿元，成为年内科创板规模最大的IPO之一。此次申购代码为“787XXX”，网上申购上限为12.5万股，顶格申购需配市值125万元。投资者可在7月16日（周二）上午9:30至11:30、下午13:00至15:00通过交易系统参与申购。中签结果将于7月18日公布，缴款日为7月19日。
长鑫科技专注于DRAM芯片的设计、制造与销售，是全球少数掌握先进工艺并实现大规模量产的企业之一。公司总部位于安徽合肥，经过多年技术攻关，目前已实现DDR4、LPDDR4X及DDR5等多款产品的量产，产品广泛应用于手机、PC、服务器及物联网设备。据IC Insights数据，2023年长鑫科技在全球DRAM市场占有率约为4.2%，位列第五，仅次于三星、SK海力士、美光和南亚科技，是中国大陆唯一在DRAM领域与国际巨头正面竞争的厂商。
盈利能力方面， 招股书显示，2021年至2023年，公司分别实现营业收入89.3亿元、142.6亿元和198.8亿元，年均复合增长率达49.2%；同期归母净利润分别为12.5亿元、25.7亿元和42.1亿元。2024年一季度，受下游需求回暖及DDR5渗透率提升推动，公司营收达61.3亿元，同比增长36.8%，净利润15.8亿元，毛利率提升至38.9%，盈利能力持续改善。
本次募集资金将主要用于三大方向：一是“12英寸DRAM芯片先进制造基地扩建项目”，计划投入60亿元，其将新增月产能6万片晶圆，主要生产1A（10nm级）及更先进制程的DDR5芯片；二是“先进制程技术研发中心项目”，投入28亿元，聚焦1γ（下一代1nm级）工艺及CXL（计算快速链接）内存接口技术；三是补充流动资金20亿元。
在行业背景层面，全球DRAM市场在经历2022-2023年连续两年的价格下跌后，2024年迎来强劲复苏。据Gartner预测，2024年全球DRAM市场规模将增长62%至920亿美元。与此同时，AI大模型训练对HBM（高带宽内存）需求的爆发，正带动整个DRAM生态向高性能、低功耗方向演进。长鑫科技在HBM研发上已取得阶段性突破，其HBM2E产品计划于2025年量产，有望切入AI算力供应链。
“长鑫科技此次IPO恰逢国产半导体供应链自主可控的窗口期。”半导体产业分析师王浩指出，“目前国内存储器自给率不足5%，随着地缘政治风险加剧，下游整机厂商对国产DRAM的导入意愿显著增强。长鑫科技作为唯一具备DDR5量产能力的本土厂商，在客户认证和市场份额提升方面拥有极大空间。”他同时提醒投资者，DRAM行业具有典型周期性特征，若未来市场需求不及预期或产能扩张过快，可能面临价格下行风险。
值得注意的是，本次发行采用了“战略配售+网下询价+网上定价”相结合的机制，其中战略配售比例占本次发行数量的35%，多家国家级产业基金、集成电路产业链龙头企业已确认参与。华泰证券等保荐机构发布的投资价值报告显示，参考可比公司（三星、海力士、美光等）当前估值，认为长鑫科技合理市值区间在3100亿至3500亿元之间，对应发行价具备安全边际。
申购建议方面， 多数券商认为长鑫科技基本面扎实、处于景气上行周期，且具有稀缺性溢价，建议投资者积极参与网上申购。需注意的是，由于发行市盈率略高于行业平均市盈率（35.2倍），短期可能存在破发风险，但中长期持有价值显著。
具体操作提示： 持有沪市股票市值1万元以上（含科创板）的投资者可申购，每5000元市值对应500股申购配额。中签后请确保账户在7月19日16:00前有足额认购资金。未缴款或资金不足视为弃购，连续12个月内累计3次弃购将被限制申购半年。