2025年7月19日，国内领先的存储芯片企业长鑫科技（CXMT）通过官方渠道发布公告，宣布公司已完成新一轮战略融资，总金额超过人民币120亿元。此次融资由多个国家级产业基金、地方国资平台及知名市场化投资机构联合参与，所募资金将主要用于新一代DRAM（动态随机存取存储器）产品的研发、产能扩建及先进封装技术的布局。
公告显示，长鑫科技本轮融资的领投方包括国家集成电路产业投资基金二期（大基金二期）、安徽省集成电路产业投资基金、国开金融等，跟投方涵盖中芯聚源、华登国际、元禾璞华等十余家半导体专业投资机构。这是继2022年完成约150亿元融资后，长鑫科技又一次获得大规模资本注入。至此，公司累计公开披露的融资总额已突破400亿元。
产能与工艺双突破
长鑫科技在公告中强调，当前公司合肥12英寸晶圆厂的一期产能已实现满产运行，月产能达到12万片等效12英寸晶圆，良率稳定在行业主流水平。二期厂房已完成主体建设，预计2026年上半年投入量产，届时总产能将提升至20万片/月。在工艺技术方面，长鑫科技已成功量产基于17nm工艺的DDR5/LPDDR5系列DRAM芯片，19nm工艺产品持续向车规级、工规级等高端领域渗透。
公告特别提及，公司自主研发的新一代1β nm（业内称“10纳米级”）工艺正处于试产验证阶段，预计2025年底前完成客户导入。若该工艺按计划落地，长鑫科技将成为全球第四家具备10纳米以下DRAM工艺能力的厂商，进一步缩小与三星、SK海力士、美光等国际巨头的代际差距。
国产替代进入深水区
当前全球DRAM市场高度集中，三星、SK海力士、美光三家合计市占率超过95%。中国作为全球最大的DRAM消费市场，每年进口金额超过300亿美元。长鑫科技自2016年成立以来，始终肩负国产DRAM芯片自主可控的使命。
此次公告发布的背景，恰逢全球存储芯片行业处于周期性底部向复苏转换的关键节点。2023年行业经历深度调整后，2024年下半年以来DRAM价格温和回升，AI服务器对高带宽存储器（HBM）的需求爆发更带动了整体市场热度。长鑫科技在消费级DRAM市场的份额已从2022年的约2%提升至2025年的约5%，在国产PC、服务器和移动终端中的渗透率稳步提高。
然而，长鑫科技也面临地缘政治环境日趋复杂的挑战。美国对华半导体设备出口管制持续收紧，荷兰ASML高端光刻机、日本东京电子刻蚀设备等关键工具的获取受限。公告中坦言，公司在先进节点研发中仍需“攻坚克难”，部分关键设备已通过国内供应商联合攻关实现替代，但技术验证周期较长。
市场前景与行业影响
多位半导体产业分析师向记者表示，长鑫科技此轮融资时机精准。一方面，AI计算的爆发性增长拉动HBM、DDR5等高性能存储需求显著上修；另一方面，国产信创产业在政策推动下持续扩容，党政军及关键行业对国产存储芯片的采购比例要求提升。长鑫科技的新一轮资金将有助于其加速推进HBM2/3的研发，并拓展云计算、汽车电子等利润更高的市场。
值得注意的是，长鑫科技在公告末尾表示“正在积极筹备科创板上市工作”，但未公布具体时间表。若成功IPO，长鑫科技有望成为A股市场规模最大的半导体设计+制造一体化的IDM企业之一，其估值或超过千亿元。
行业观察人士指出，长鑫科技的成长折射出中国半导体产业从“追赶”到“并跑”的韧性。但在全球技术霸权博弈持续深化的背景下，国产DRAM要想真正实现从“可用”到“好用”的飞跃，仍需在EDA工具、先进IP核、高端封测等上下游环节补齐短板。长鑫科技的下一个公告，或许就是国产存储破茧成蝶的序章。