国产存储芯片产业迎来关键节点。随着长鑫科技科创板申购日期临近，以及长存控股IPO辅导工作加速推进，两大国产存储巨头“两长”——长鑫科技与长存控股，正以前所未有的速度冲刺资本市场，开启国产存储产业“双轮驱动”的新阶段。
长鑫科技：7月16日申购，科创板上市倒计时
据上海证券报消息，长鑫科技（全称“长鑫存储技术有限公司”）即将于7月16日启动申购，登陆科创板指日可待。作为国内DRAM（动态随机存取存储器）领域的领军企业，长鑫科技此次IPO备受市场关注。公司自2016年成立以来，专注于DRAM芯片的自主研发与制造，逐步打破了国际巨头在存储芯片领域的长期垄断。此次上市募资，将主要用于技术研发、产能扩充及补充流动资金，进一步巩固其在国产DRAM市场中的领先地位。
长鑫科技的科创板进程可谓扎实推进。此前，公司已顺利完成多轮融资，引入国家集成电路产业投资基金、中芯聚源等知名产业资本。分析人士指出，长鑫科技上市后，将为国产存储芯片产业链带来更强的资金支撑和品牌效应，加速实现DRAM产品的国产替代。
长存控股：IPO辅导全面铺开，追赶步伐加快
与长鑫科技同年创立的长存控股（全称“长江存储科技控股有限责任公司”），同样在紧锣密鼓地推进IPO进程。中国证监会官网显示，辅导机构已于7月10日更新了长存控股IPO辅导工作进展情况报告（第一期）。这意味着，自今年5月19日启动IPO辅导以来，长存控股的上市准备已进入实质性阶段。
长存控股是国内NAND Flash（闪存）领域的核心力量，旗下长江存储有限责任公司是全球少数具备3D NAND闪存自主研发能力的企业之一。近年来，长存控股在技术突破上屡创佳绩，率先量产了128层、232层3D NAND闪存产品，并在国产SSD（固态硬盘）等终端市场获得广泛应用。此次加速IPO辅导，显示出公司对资本市场的强烈渴望——通过上市融资，长存控股将进一步扩大产能、提升研发投入，以缩小与国际龙头三星、铠侠等在市场份额和技术代际上的差距。
国产存储“两长”并进，资本市场助推产业突围
长鑫科技与长存控股同日创立的背景，本身就颇具深意——两者分别代表了中国在DRAM和NAND Flash两大主流存储芯片赛道的突破力量。长期以来，全球存储芯片市场被三星、SK海力士、美光等国际巨头高度垄断，国产存储产品自给率不足5%。正是在这一背景下，“两长”应运而生，肩负起打破“缺芯少魂”困局的历史使命。
从技术路线看，长鑫科技主攻DRAM，产品广泛应用于PC、服务器、手机等终端；长存控股则聚焦NAND Flash，为消费级和企业级存储提供核心芯片。两家公司虽然在细分领域有所差异，但共同发力高端存储芯片，且均具备从设计、制造到封装测试的全产业链能力。如今，两家公司IPO进程的同步推进，更是将国产存储产业的“双轮驱动”战略推向新高度。
资本市场对“两长”的期待十分明确：一方面，上市将为公司注入大量长期资本，缓解存储芯片行业巨大的研发投入压力；另一方面，通过公开市场接受投资者监督，有助于提升公司治理水平，增强在全球产业竞争中的韧性与话语权。
产业挑战犹存，但前景可期
尽管“两长”IPO进程加速释放出积极信号，但国产存储产业面临的挑战依然严峻。技术层面，国际巨头在先进制程、良率控制、生态系统等方面仍占据显著优势；市场层面，全球存储芯片价格周期性波动剧烈，行业竞争烈度极高。不过，受益于国内数字经济、人工智能、云计算等新兴应用的爆发式增长，存储芯片需求持续旺盛，为国产替代提供了广阔的市场空间。
有行业分析师指出，长鑫科技与长存控股若能成功登陆科创板，不仅将改写国内存储芯片产业格局，更将激发更多资本涌入国产半导体产业链，形成良性循环。可以预见，随着资本市场的助力，“两长”有望在下一轮全球存储芯片技术迭代中，扮演更加重要的角色。
从“追赶者”到“并跑者”，国产存储的崛起之路充满艰辛，但每一步都坚实有力。两长IPO的号角已经吹响，国产存储芯片产业的黄金时代，正在加速到来。