2026年6月25日，宏微科技与国家电投旗下国电投核力创芯（无锡）科技有限公司（以下简称“核力创芯”）在无锡正式签署战略合作协议，双方共同揭牌成立“功率半导体离子注入工程技术及器件研发联合实验室”。这一里程碑式的合作，标志着双方将在高能离子注入技术领域展开深度协同，致力于攻克功率半导体器件产业化应用中的关键技术难题，推动我国半导体核心器件的自主可控进程。
强强联手，聚焦核心技术
宏微科技作为国内领先的功率半导体器件供应商，长期专注于IGBT、FRD等芯片的研发与制造，产品广泛应用于新能源、工业控制、智能电网及AI数据中心（AIDC）供配电等领域。核力创芯则是国家电投旗下的科技创新平台，在高能离子注入技术方面拥有深厚积累，其技术储备与工程化能力在国内处于领先地位。
根据协议，联合实验室将聚焦“高能离子注入在功率半导体器件中的产业化应用”这一核心课题，重点突破离子注入工艺对IGBT、FRD等芯片性能提升的关键瓶颈。通过联合攻关，双方将共同优化注入能量、剂量、均匀性等工艺参数，显著提升芯片的耐压、导通电阻、开关速度及可靠性等核心指标，从而增强宏微科技产品的市场竞争力。
技术协同，剑指AI数据中心供配电
值得关注的是，本次技术合作不仅瞄准传统功率半导体应用领域，更将直接赋能宏微科技在AI数据中心供配电市场的布局。随着人工智能大模型训练和推理需求的爆发式增长，AI数据中心对高效、可靠、高功率密度的供配电系统提出了前所未有的要求。功率半导体作为供配电系统的核心元器件，其性能直接决定了数据中心的能源效率与运行稳定性。
通过联合实验室的技术成果转化，宏微科技将能够推出性能更优的IGBT模块和FRD芯片，满足AI数据中心对高频率、低损耗、高热可靠性的严苛需求。此举将进一步强化宏微科技在AIDC供配电领域的产品竞争力，助力其在这一高增长赛道中占据领先地位。
产学研用，赋能国产替代
当前，全球功率半导体市场仍以欧美日厂商为主导，国产替代空间广阔。但高端功率器件对制造工艺尤其是离子注入技术的精度和一致性要求极高，长期依赖进口设备与工艺方案，成为制约国内产业发展的瓶颈之一。核力创芯在高能离子注入领域的技术积累，为突破这一瓶颈提供了有力支撑。
联合实验室的建立，将构建起从基础研究到工艺开发、从器件设计到产业化验证的全链条创新体系。双方将共享实验平台、技术人才及行业资源，形成“技术研发-中试验证-批量生产”的闭环，加速创新成果向现实生产力的转化。这不仅有助于宏微科技提升产品性能，也为我国功率半导体产业的自主可控提供了重要的技术储备。
展望未来，共铸产业新高度
在签约仪式上，双方代表均表示，将以联合实验室为纽带，持续深化在功率半导体领域的合作。未来，实验室还将探索与其他科研院所、产业链上下游企业的协同创新，打造开放式的技术研发平台，推动我国功率半导体产业整体技术水平的提升。
业内分析人士认为，宏微科技与核力创芯的合作，是科技企业与央企创新平台“产研结合”的典型案例。在当前“新质生产力”加速培育的背景下，此类合作有望在关键材料、核心装备、先进工艺等领域形成更多突破，为我国半导体产业的高质量发展注入强劲动力。
随着联合实验室的正式揭牌，双方将投入优势资源，力争在短期内产出标志性技术成果，并率先在AI数据中心供配电等新兴应用领域实现产业化落地。可以预见，功率半导体领域的技术革新与国产替代进程，将由此迈入一个全新的发展阶段。