6月12日，半导体存储芯片龙头长鑫科技（股票代码：688XXX）在科创板新股申购中遭遇罕见的大面积弃购。据保荐机构公告，本次网上投资者放弃认购的股份数量高达658万股，按发行价每股45.80元计算，弃购金额约3.01亿元，占本次网上发行总量的11.6%。这一比例在近期科创板新股中处于较高水平，引发市场对半导体板块投资情绪及新股发行生态的热议。
弃购规模超预期，机构包销压力骤增
长鑫科技此次公开发行新股1.2亿股，其中网上发行5680万股。根据上交所公布的申购结果，网上投资者有效申购倍数约为1200倍，中签率为0.083%。然而，最终有658万股被中签投资者放弃认购，弃购金额位居2024年以来科创板新股弃购榜前列。按照规则，这部分股份将由主承销商中信证券与华泰联合证券包销。按发行价计算，两家券商需合计出资约3.01亿元承接，叠加后续可能的破发风险，包销压力不容小觑。
值得注意的是，长鑫科技本次发行市盈率为42.5倍，高于半导体行业平均水平35.8倍。高估值叠加近期A股市场整体疲弱，或成为弃购的直接导火索。
市场情绪降温：估值博弈与行业周期叠加
长鑫科技是国内DRAM（动态随机存储器）领军企业，其核心技术源自对奇梦达的专利整合，近年来在产能扩张与良率提升上取得突破。公司2023年实现营收约180亿元，同比增长22%，净利润25.6亿元，盈利能力显著改善。然而，资本市场对存储芯片的估值一直存在分歧。一方面，AI算力需求拉动HBM（高带宽内存）市场爆发，长鑫科技虽布局HBM但尚未大规模量产；另一方面，传统DRAM周期性明显，2023年下半年价格回升但2024年二季度以来又面临下行压力。
“弃购背后是投资者对公司短期业绩的担忧。”某券商首席策略分析师表示，“长鑫科技虽然技术国产化进展显著，但全球DRAM三强（三星、SK海力士、美光）垄断格局下，公司市场份额仅约3%，且面临巨额资本开支与折旧压力。发行价对应2023年PE超过40倍，若考虑2024年行业可能出现的价格波动，安全边际不足。”
此外，近期A股市场上新股破发屡见不鲜，打新‘稳赚不赔’的预期已被打破。数据显示，2024年5月以来科创板新股首日平均涨幅收窄至不足20%，多只股票上市首日即破发。长鑫科技发行规模较大，中签者需缴纳资金近万元，部分投资者权衡后选择放弃。
行业前景与投资者教育仍需平衡
长鑫科技的弃购事件并非孤例。今年4月，另一家半导体设计公司上市时也曾出现超5%的弃购率。这反映出市场对高估值新股的风险厌恶情绪在升温。但从产业层面看，长鑫科技的战略价值不容忽视。其正推进的第三代10nm级DRAM制程量产，有望填补国内空白，降低对进口存储芯片的依赖。公司本次IPO募资约55亿元，拟用于12英寸晶圆厂扩产及先进制程研发。
“弃购不等于否定公司价值，但提醒我们，新股市场化定价机制需要进一步完善。”复旦大学证券研究所副所长王伟认为，“一方面应引导保荐机构合理定价，减少估值泡沫；另一方面要加强投资者风险教育，避免盲目跟风打新。长期看，长鑫科技若能在技术迭代中站稳脚跟，其股价终将回归基本面。”
截至发稿，长鑫科技尚未发布弃购补充公告。市场普遍预期，该股上市首日或面临一定波动压力，但机构包销的动向亦可能成为股价的短期支撑。对投资者而言，打新已从“红利时代”步入“甄别时代”，而长鑫科技这场弃购风波，或将成为A股半导体投资逻辑切换的一个注脚。