SK海力士ADR发行定价为每份149美元

韩国半导体巨头SK海力士于近日正式公布其在美国市场的存托凭证（ADR）发行定价，最终确定为每份149美元。这一价格位于此前市场预期的发行区间中段，显示出全球投资者对这家全球第二大存储芯片制造商的高度认可与浓厚兴趣。

发行细节与定价背景

据知情人士透露，SK海力士此次ADR发行总规模约为30亿美元，共发售约2013万份ADR，每份代表一股普通股。定价149美元相当于每股普通股约合19.5万韩元，较其在韩国交易所的最新收盘价折让约2%左右。这一小幅折价旨在吸引国际投资者入场，同时避免对韩国本土股价造成过大冲击。

此次ADR发行的主承销商包括高盛、摩根士丹利、花旗集团等国际顶级投行。认购情况非常火爆，机构投资者订单簿一度达到发行规模的3倍以上，主要买家来自北美和欧洲的长期基金、对冲基金以及科技行业专项基金。

SK海力士此次赴美发行ADR，正值全球人工智能热潮推动存储芯片需求爆发式增长的关键节点。作为高带宽内存（HBM）市场的绝对领导者，SK海力士占据了全球HBM3E（第五代高带宽内存）市场约90%的份额，其产品是英伟达H100/B200等AI加速器的核心组件。

公司计划将此次募集资金主要用于三方面：一是扩建位于韩国京畿道的HBM专用生产基地，新增每月约10万片晶圆产能；二是投资下一代HBM4技术的研发，该技术预计2026年量产；三是补充流动资金以应对全球客户日益增长的预付订单需求。

市场分析人士指出，SK海力士选择在此时发行ADR，既是对其全球投资者基础的拓宽，也是为应对长期资本开支高峰期做准备。花旗银行半导体分析师Christopher Danely在报告中表示：“SK海力士的HBM业务正以年增长300%以上的速度扩张，此次融资将确保其在未来2-3年内的技术领先地位。”

当前半导体存储行业正经历深刻的格局重构。SK海力士的最主要竞争对手三星电子虽然在DRAM总体产能上仍居全球第一，但在HBM领域明显落后。而美国美光科技虽在HBM技术路线图上宣布了激进计划，但量产时间仍需到2025年底。

SK海力士的HBM3E产品已于2024年第一季度开始批量供货，预计全年出货量将较上年增长4倍。公司CEO郭鲁正此前在股东大会表示：“AI服务器对HBM的需求呈现指数级增长，我们正以最快速度响应客户需求，确保供应安全。”

ADR定价公布后，SK海力士韩国本地股价当日微涨0.8%，显示市场对定价合理性的认可。有交易员指出，149美元的定价较公司历史估值水平有所溢价，但考虑到AI业务的超高增速，这一估值仍然被多数长线资金视为“介入良机”。

根据彭博社数据，SK海力士目前2024年预估市盈率约为18倍，低于其竞争对手英伟达等AI产业链核心标的，但高于传统存储芯片周期中的均值。分析人士普遍认为，随着HBM业务占公司营收比重从2023年的约10%快速提升至2025年的40%以上，公司整体估值中枢有望持续上行。

展望未来，SK海力士能否借助这笔资金进一步拉开与竞争对手的技术差距，将成为市场关注的焦点。在AI算力军备竞赛白热化的当下，存储芯片的“超级周期”才刚刚拉开帷幕。