韩国存储芯片巨头SK海力士近日在面向机构投资者的电话会议中披露，公司预计2026年资本开支将达到40万亿至50万亿韩元（约合人民币2080亿至2600亿元）区间的高端水平。这一规模较2024年的约25万亿韩元大幅增长，显示出公司对AI驱动的高端存储市场需求持强烈乐观预期，并正加速产能布局以抢占技术制高点。

资本开支暴涨背后的AI“军备竞赛”

SK海力士是当前全球高带宽存储器（HBM）市场的绝对领导者，其HBM3E产品已占据绝大多数AI加速器芯片的配套份额。公司此次大幅上调资本开支计划，核心动因源于三方面：一是高阶HBM产能扩产迫切。据供应链消息，SK海力士正计划新建或改造多条HBM专用生产线，包括在韩国利川、清州及美国硅谷等地增设先进封装设施，以满足英伟达、AMD等客户对HBM3E乃至下一代HBM4的旺盛需求。

二是向下一代DRAM技术转型。2026年将是1c纳米（约11纳米级）DRAM量产的关键节点，SK海力士需在高层数堆叠、极紫外光刻（EUV）工艺等方面投入巨额资金，以保证与三星电子、美光的技术代差优势。该公司此前宣布，已率先开发出第六代10纳米级1c DDR5 DRAM，预计2025年实现量产，但产能爬坡仍需大量设备采购。

三是NAND闪存业务复苏布局。尽管NAND市场仍在低谷，但SK海力士旗下Solidigm公司正加速企业级QLC固态硬盘（SSD）的大规模量产，以契合AI推理端对高容量、低延迟存储的需求。公司已规划在韩国清州新建NAND晶圆厂，预计资本开支中约15%-20%将投向非易失性存储领域。

行业竞争白热化，市场份额交替

这一激进投资计划也折射出全球存储芯片市场的竞争格局。三星电子近期亦宣布2026年晶圆代工及存储领域资本开支将维持在50万亿韩元以上，并计划在HBM3E市场追赶SK海力士。美光则于2024年宣布将在日本广岛建设先进的HBM测试与封装线，目标在2026年实现HBM4产品量产。

值得注意的是，SK海力士的资本开支在总营收中的占比将显著提升。根据公司财报，2024年营收约75万亿韩元，2026年预计营收有望突破100万亿韩元，相应的资本开支占营收比例将从30%上升至40%以上，远超行业通常的20%-30%水平。这无疑增加了公司的现金流压力，但也体现了其“all in”高端存储的决心。

专家观点：警惕产能过剩与周期风险

市场分析人士对SK海力士的扩产计划给出了褒贬不一的评价。Counterpoint Research半导体分析师指出，AI芯片对HBM的需求在2025-2027年间将保持年均50%以上的复合增长率，但长期来看，若所有头部厂商同步扩产，2028年后可能出现结构性产能过剩。此外，地缘政治风险也不容忽视：美国对华芯片设备出口管制可能影响SK海力士在中国工厂的设备更新节奏，而韩国政府近期推出的万亿韩元级别半导体产业扶持政策，则为公司提供了部分缓冲。

展望：技术路线决定未来走向

SK海力士预计，到2026年，HBM在整体DRAM出货中的占比将从当前的10%提升至30%以上，而高附加值产品将贡献超过60%的利润。公司首席财务官（CFO）在电话会议上表示：“我们将保持资本开支的灵活性，根据市场需求动态调整投资节奏，但核心方向不会改变——就是成为AI存储基础设施的最优供应商。”

可以预见，2026年全球存储芯片市场将因SK海力士这艘“资本巨轮”的加速而进入新一轮扩张周期。在技术迭代与产能博弈的交织下，谁能率先实现HBM4、1c DRAM等前沿产品的规模化量产，谁就将在千亿美元级别的存储市场中占据主导地位。而这一赌注的最终结果，还需等待市场检验。