全球存储芯片巨头SK海力士正在加速其全球化布局。公司董事长崔泰源近日公开表示，对进一步扩大投资持开放态度，尤其不排除在美国本土建设芯片业务的可能性。这一表态正值全球半导体产业链重塑、各国争相吸引先进制造产能的关键时刻，引发业界广泛关注。
崔泰源是在韩国首尔举行的一场投资者交流会上作出上述表态的。他指出，SK海力士始终密切关注全球市场需求与政策环境变化，对于能够增强公司技术竞争力、服务核心客户的任何投资机会都保持积极评估。“我们不对任何具体地点设限，包括在美国本土建设芯片制造或封装业务，只要条件合适，我们愿意投入更多资源。”崔泰源强调，公司的投资决策将基于长期技术路线与商业回报，而非短期地缘政治因素。
这一表态意味着SK海力士可能进一步扩大其在美国的产业布局。此前，该公司已宣布将在美国印第安纳州投资约38.7亿美元建设先进的HBM（高带宽内存）封装工厂，预计2028年投产。该工厂主要为英伟达等AI芯片巨头提供关键的HBM3E内存产品。而崔泰源的最新发言暗示，除封装环节外，SK海力士还可能考虑在美国设立前道晶圆制造或更完整的存储芯片生产线，从而深度嵌入美国本土半导体供应链。
业界分析认为，SK海力士的战略转向与美国《芯片与科学法案》的补贴政策密切相关。 该法案承诺为在美建厂的半导体企业提供总计527亿美元的补贴及税收优惠，三星、台积电等均已获得数十亿美元资助。SK海力士此前由于专注于韩国本土及中国无锡、大连等地的产能，对赴美建厂相对谨慎。但随着人工智能热潮推动HBM需求井喷，以及美国对华技术出口管制收紧，在中国工厂生产的高端存储芯片面临出口限制，促使SK海力士重新评估其全球产能分布。
韩国半导体产业协会研究委员指出：“SK海力士在美国建设前道制造的可能性正在上升。一方面，其主要客户如英伟达、AMD、苹果均在美国，靠近客户可缩短交付周期并降低物流成本；另一方面，美国在先进封装和设计方面的生态日益成熟，有助于SK海力士巩固其在HBM市场的领先地位。”
不过，在美国大规模投资也面临挑战。 建设一座先进的DRAM晶圆厂动辄需要200亿美元以上，且美国缺乏熟练的半导体工程师和低成本配套设施。崔泰源承认，扩张需要审慎推进，公司正在与韩国及美国各级政府保持沟通，以确保投资回报的确定性。他还提到，SK海力士将继续履行对现有中国工厂的承诺，但在技术转移和升级方面将严格遵守各国法规。
从更宏观的视角看，SK海力士的“亲美”布局预示着全球存储芯片产业进入新的竞争阶段。目前三星电子已在德克萨斯州拥有两座晶圆厂，并计划投入近200亿美元扩建；美光科技则在纽约等地建设新的DRAM工厂。三大存储巨头在美会聚，将重塑全球存储芯片的供应版图。对于韩国而言，本国半导体巨头加速出海可能削弱国内产业集群优势，韩国政府已宣布“K-半导体战略”试图留住高端制造环节，但企业出于客户与政策考量，仍难以抗拒赴美诱惑。
展望未来，SK海力士在美国的下一步动作将成为行业风向标。 若其最终决定建设完整晶圆厂，将标志着韩国存储芯片企业首次在海外进行大规模前道制造投资，不仅为全球AI算力基础设施提供更可靠的供应保障，也将使中美之间在半导体领域的博弈增添新的变量。市场普遍预期，SK海力士将在2025年第二季度前公布更具体的美国投资计划，届时其战略图景将更加清晰。