近日，国内碳化硅（SiC）衬底领军企业——北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）科创板IPO申请正式获上海证券交易所受理，引发市场广泛关注。招股书显示，公司本次拟公开发行不超过1.5亿股，计划募集资金约40亿元，用于产能扩建、技术研发及补充流动资金。值得关注的是，其股东阵容堪称豪华，国家集成电路产业投资基金（大基金）、宁德时代、华为旗下哈勃投资等明星机构赫然在列，彰显了资本市场对第三代半导体赛道的高度认可。
深耕碳化硅衬底，技术壁垒深厚
天科合达成立于2006年，专注于第三代半导体碳化硅材料的研发与产业化，主营产品包括6英寸导电型碳化硅衬底、4英寸半绝缘型碳化硅衬底等，是国内少数实现6英寸导电型衬底批量生产并出口的企业之一。公司核心团队源自中科院物理所，在碳化硅单晶生长、加工等关键环节拥有自主知识产权，目前已掌握PVT（物理气相传输法）长晶、高精度切割、精密研磨抛光等核心技术，产品质量达到国际先进水平。
财务数据显示，2022年至2024年上半年，天科合达营业收入分别为8.87亿元、12.84亿元和8.56亿元，扣非后净利润分别为1.12亿元、1.56亿元和1.08亿元，呈现稳步增长态势。随着新能源汽车、光伏逆变器、轨道交通等下游需求爆发，碳化硅衬底供不应求的局面持续延续，公司产能利用率长期维持在90%以上。
豪华股东阵容：产业资本与战略资源深度绑定
天科合达的股东名单堪称“全明星阵容”。截至招股书签署日，大基金一期持有公司约6.5%的股份，为第三大股东；宁德时代通过旗下问鼎投资持股约2.8%；华为哈勃投资则持有约1.9%的股份。此外，中芯聚源、深创投、国开装备基金等知名机构也位列其中。
大基金的入股，体现了国家对第三代半导体材料自主可控的战略布局。碳化硅作为“双碳”目标下高效能源转换的核心材料，一直被列为重点扶持领域。而宁德时代和华为的加持，则更具产业协同意义——宁德时代是全球动力电池龙头，碳化硅器件能显著提升电驱动系统效率，延长续航里程；华为则在新能源车电驱、数字能源、通信基站等领域大量采用碳化硅芯片，双方有望在供应链层面实现深度合作。
业内分析人士指出，天科合达本次IPO引入了产业链上下游核心客户作为股东，这种“上下游绑定”模式有助于稳定订单、加速技术迭代，也为后续产品导入提供了天然通道。
募资40亿扩产，抢占市场先机
根据招股说明书，天科合达本次IPO募资将主要用于三大方向：一是“第三代半导体碳化硅衬底产业化项目”，计划投入23亿元，将在北京、江苏等地新建6英寸/8英寸衬底生产线，达产后新增产能约30万片/年；二是“碳化硅衬底技术研发中心升级项目”，投入10亿元，用于攻克8英寸衬底量产、缺陷控制等关键技术；剩余7亿元将补充流动资金。
目前，国际巨头Wolfspeed、Coherent已布局8英寸衬底，国内企业仍以6英寸为主。天科合达表示，将加速8英寸衬底的研发验证进度，以缩小与国际先进水平的差距。公司预计，募投项目建成后，整体产能将提升至现有水平的2倍以上，进一步巩固行业龙头地位。
行业高景气，国产替代空间广阔
碳化硅衬底是第三代半导体产业链的基石，下游覆盖新能源汽车（主驱逆变器、车载充电机）、光伏逆变器、储能、5G基站、高压输变电等领域。据Yole数据显示，2023年全球碳化硅功率器件市场规模约23亿美元，预计2028年将增至89亿美元，年复合增长率超过30%。其中，新能源汽车是最大驱动力，单车碳化硅器件价值量可达500-800美元。
在国内，随着比亚迪、蔚来、小鹏等车企加速碳化硅车型落地，以及光伏逆变器向大功率高密度方向演进，碳化硅衬底需求正呈井喷态势。然而，国产衬底在长晶良率、缺陷密度等方面仍与海外龙头存在差距，进口替代空间巨大。天科合达作为国内首批实现6英寸衬底批量供货的企业，有望借助资本力量加速扩产，提升国产渗透率。
机遇与挑战并存
尽管前景广阔，天科合达也面临多重挑战。一方面，国际巨头如Wolfspeed、SK Siltron正在全球大规模扩产，价格战风险不容忽视；另一方面，碳化硅衬底生产工艺复杂，晶体生长周期长，良率爬坡需要时间。此外，8英寸衬底技术尚未完全成熟，若研发进度不及预期，可能影响公司竞争力。
不过，有赖于国产新能源汽车和光伏产业链的强劲需求，以及华为、宁德时代等股东的深度赋能，天科合达已占据“天时地利人和”。若能顺利登陆科创板，公司将成为继天岳先进、东尼电子之后，A股碳化硅衬底领域又一重要力量，推动中国第三代半导体产业链迈向更高水平。