导语
“当前全球存储行业的核心矛盾，仍是供应严重短缺，而AI驱动的结构性需求增长远未见顶。”这是野村证券最新发布的存储行业深度研报中的核心判断。报告指出，尽管近期存储芯片价格有所波动，但供需失衡的格局并未根本性扭转，HBM（高带宽内存）和企业级SSD等高端存储产品的供应紧张局面甚至有进一步加剧的趋势。

供应端：产能扩张受限，结构性缺口持续

野村证券分析师团队在报告中详细拆解了供应短缺的多重成因。首先，从产能端看，全球主要DRAM和NAND Flash厂商在2023年的大幅减产收缩（以三星、SK海力士、美光为代表）导致行业库存快速消化，而新的晶圆厂建设从动工到量产通常需要18-24个月，即使部分厂商已重启资本开支，短期内实际产出增量极为有限。

其次，上游设备和材料环节同样构成瓶颈。用于先进制程的EUV光刻机、高精度刻蚀设备等交期仍长达12个月以上。尤其是HBM所需的TSV（硅通孔）工艺产能更加稀缺，SK海力士和三星虽全力扩产，但良率爬坡和封测能力限制导致HBM3E产品实际出货量远不及下游AI芯片厂商的订单需求。

此外，日韩存储厂商对原材料的把控，以及地缘政治因素对半导体供应链的干扰，进一步放大了供应不确定性。野村证券指出，即便部分下游终端应用（如消费级PC、智能手机）的存储需求有所放缓，但在AI服务器、数据中心和企业级存储领域，需求依然呈现“井喷”态势，这种“结构性错配”是当前行业的核心矛盾。

需求侧：AI驱动结构性增长，HBM和超大容量SSD成“硬通货”

野村证券强调，AI驱动的存储需求并非短期炒作，而是正在形成长期结构性增长。以HBM为例，随着NVIDIA H100、B200以及AMD MI300X等高性能GPU的持续放量，HBM3/HBM3E的单卡搭载量从80GB向144GB甚至更高攀升，预计2024年全球HBM需求将同比增长超过150%。而2025年HBM4的研发导入将进一步消耗大量DRAM产能。

与此同时，AI大模型训练和推理对存储带宽、容量和低延迟提出了前所未有的要求。除了HBM，企业级SSD（尤其是PCIe 5.0接口的高容量产品）也出现严重供不应求。大型云服务商（AWS、微软Azure、谷歌云）为支持大规模AI集群建设，正在疯狂抢购大容量SLC/MLC NAND产品。野村证券测算，仅2024年Q2，全球数据中心级SSD的签约价格环比涨幅就超过20%，且三季度仍有进一步涨价的空间。

报告还指出，AI PC和AI手机等边缘智能设备开始搭载更高容量的LPDDR5X和UFS 4.0存储，尽管单机增量有限，但巨大的出货基数正在从“量变”积累到“质变”。野村证券认为，消费端存储需求可能被市场低估。

市场展望：供需缺口至少延续至2025年H1

野村证券在其研报中给出了明确的时间预测：全球存储行业供应严重短缺的局面至少将持续到2025年上半年。其中，HBM和高端DRAM的缺口可能更为持久，NAND方面则因部分厂商（如西部数据、铠侠）合并与减产计划，企业级SSD的供应改善时间点更晚。

在价格层面，野村分析师预计，DRAM合约价格在2024年下半年将维持环比正增长，NAND Flash价格涨幅可能收窄但仍保持高位。建议投资者重点关注HBM产业链、存储模组厂商以及具备独立产能的先进封装企业。

不过报告也提示风险：若下游AI资本开支增速放缓，或者消费电子需求进一步恶化，可能阶段性压制存储价格。但长期来看，AI对数据存储需求的拉动才刚刚开始，存储行业正进入“需求结构升级”的新周期。

行业回应：多方印证紧缺态势

在研报发布之后，多家媒体援引美光、三星等厂商的一线反馈称，当前HBM订单已排至2025年，部分客户甚至要求提前锁定产能。而国内存储模组厂商近期也密集接受机构调研，普遍反映原厂供货分配紧张，部分料号仍需抢货。

分析人士认为，野村证券的观点基本代表了外资投行对存储行业的集体判断。在AI算力军备竞赛尚未降温的背景下，存储作为“算力之基”，其核心矛盾的化解仍有待产能大幅释放，“供应短缺”仍将是未来一年行业的主基调。