在全球半导体产业持续升温的大背景下，DRAM（动态随机存取存储器）市场正迎来一轮前所未有的景气周期。4月23日，中国台湾DRAM大厂南亚科技（南亚科）在法人说明会上宣布重磅产能扩张计划：公司未来数年将斥资超过新台币千亿元，将现有晶圆产能提升近七成，同时预计全球DRAM市场供不应求的格局至少将延续至2028年。这一消息迅速引发业界高度关注，为本就火热的存储市场再添一把火。

扩产大计：产能跃升近七成，瞄准利基市场

南亚科总经理李培瑛在法说会上表示，公司已规划在新北市泰山南林科技园区兴建一座全新的12英寸晶圆厂，同时将通过制程升级、设备优化等方式，将现有月产能从当前的11.5万片（以12英寸等效晶圆计）提升至约19.5万片，增幅达到69.5%。新晶圆厂预计2026年下半年开始小量投产，2027年进入满载，主要采用10纳米级制程技术，聚焦DDR5、LPDDR5等高附加值产品。

李培瑛强调，这一扩产计划并非盲目跟风，而是基于对未来5年市场结构性缺口的判断。“人工智能、云计算、边缘计算、车用电子以及5G基础设施的持续部署，正在创造前所未有的DRAM需求。尤其是在HBM（高带宽存储器）和CXL（Compute Express Link）等新兴应用领域，DRAM的消耗量是传统服务器的数倍。”他说。

供不应求持续至2028年：供需缺口扩大成主因

针对市场热议的DRAM景气周期，南亚科在法说会上给出了明确的长期判断。公司认为，尽管各家供应商均有一定程度的扩产规划，但全球DRAM产能增长远远跟不上需求的爆炸式增长。根据南亚科掌握的行业数据，2024年至2028年全球DRAM需求的年复合增长率将达到12%至15%，而同期产能年复合增长率仅为6%至8%，供需缺口将持续扩大。

“过去三到四年，由于DRAM价格长期低迷，主要厂商的资本支出非常保守，导致新增产能有限。现在AI需求突然爆发，把整个行业的供给天花板一下子捅破了。”李培瑛指出，即便三星、SK海力士、美光等三大巨头同步扩产，从动工到量产通常需要18到24个月，且新产线投产后还需经历良率爬坡期，“因此我们认为至少到2028年，DRAM都将处于供不应求的卖方市场”。

值得关注的是，南亚科虽然在整体DRAM市场的份额仅约3%，但在利基型DRAM领域（如消费电子、工业控制、车规级等）拥有较强话语权。此次产能扩张正是瞄准了这一相对稳定的细分市场，以避开与三大巨头在通用型DRAM领域的正面竞争。

行业影响：涨价趋势确立，下游客户承压

南亚科的判断并非孤例。近期，三星电子、SK海力士均传出2024年DRAM合约价格将逐季上涨20%-30%的消息；美光也宣布其2025全财年产线产能已被预订一空。业内分析人士指出，DRAM价格自2023年下半年触底反弹以来，已连涨三个季度，目前DDR5 16Gb的现货价格较去年低点已上涨超过60%。

这轮涨价给下游厂商带来了明显压力。一位不愿具名的服务器制造商高管向记者表示：“我们正在囤货，但上游供应商的分配量远远不够，交期已经拉长到20周以上，部分小客户甚至面临断供风险。”与此同时，AI芯片龙头英伟达近期也被曝出因HBM供应紧张而被迫调整部分GPU出货计划。

不过，也有行业观察者提出谨慎观点。集邦咨询分析师吴雅婷表示，DRAM的长景气周期依赖于AI需求的持续消化，若AI落地速度不及预期，或宏观经济出现衰退，不排除市场出现阶段性调整的可能。“但就目前来看，至少未来三年，供需格局对卖方相当有利。”

南亚科的战略机遇：从追赶者到挑战者

对于南亚科而言，此次扩产不仅仅是资本游戏，更是一次战略跃迁。长期以来，南亚科技在制程技术方面落后于三大巨头——目前其最先进的1B制程（约15纳米级）尚未量产，而三星、美光已进入1α制程（约12纳米级）。但公司近年来在自主研发和外部合作上持续发力，2023年与合作伙伴共同开发了基于第4代10纳米级制程的DDR5产品，良率已超过80%。

李培瑛在法说会最后表示：“过去我们是在追赶，但接下来我们要做的是差异化竞争。产能是我们手中的子弹，技术则是瞄准器。我们有信心在未来五年内成长为全球利基型DRAM市场的领导者。”

截至记者发稿，南亚科股价在法说会后连续两日上涨，累计涨幅达8.7%，市值突破新台币4300亿元。市场正在用脚投票，押注这家本土DRAM厂商的“黄金五年”。