本报记者 | 行业观察

随着人工智能、云计算及大数据应用持续爆发，全球NAND Flash存储器市场在过去两年经历了前所未有的供应紧张。然而，根据知名市场研究机构集邦咨询（TrendForce）最新发布的报告，这一局面有望在2027年下半年迎来转折。报告指出，随着全球主要存储原厂产能扩张计划的逐步落地，供给增速将开始领先于需求成长，届时NAND Flash市场的紧缺压力将得到实质性缓解。

当前NAND Flash市场现状：AI需求推升供需缺口

自2023年以来，以ChatGPT为代表的生成式AI应用快速普及，带动了AI服务器对高容量、高速度NAND Flash的爆发式需求。与此同时，数据中心基础设施的大规模升级、边缘计算设备的普及以及消费电子中单机存储容量的持续提升，使得NAND Flash需求保持双位数增长。

集邦咨询数据显示，2024年全球NAND Flash位元需求量同比增长约24%，而同期供给端增长仅为18%左右，供需缺口持续扩大。这导致NAND Flash价格在2024年内累计上涨超过45%，尤其是用于企业级SSD的3D NAND芯片，一度出现季度涨幅超过20%的情况。三星、SK海力士、美光、铠侠等主要原厂纷纷宣布扩产计划，但产能爬坡需要时间，短期内紧缺局势难以逆转。

供给端：大规模扩产与技术进步叠加

报告分析指出，供给增速将领先需求成长的核心驱动力来自两方面：一是主要原厂的资本支出在2025-2026年集中释放，二是3D NAND堆叠层数技术从200层向300层以上的跨越将大幅提高单位晶圆的产出效率。

具体来看，三星计划在2025年底前完成平泽P4工厂的扩建，将NAND Flash月产能提升至45万片以上；SK海力士则在韩国清州建设M15X新厂，目标在2026年实现量产；美光与铠侠均在加速推进300层以上3D NAND的量产进程。据集邦咨询测算，2026年全球NAND Flash总产能将较2024年增长约45%，2027年有望再增10%-15%。

值得注意的是，供给增速的提升不仅来自产能扩张，还来自良率改善和制程效率优化。原厂在经历技术转型初期后，300层以上产品的良率预计在2026年底后进入稳定爬坡期，这将进一步推升有效供给。

需求端：增速放缓但长期动力依然强劲

与供给端的快速扩张相比，需求端的增幅将呈现阶段性放缓趋势。集邦咨询认为，2026-2027年，随着AI训练需求逐步向推理侧转移，以及边缘AI设备渗透率的提升，NAND Flash需求仍保持增长，但增速将从2024年的24%回落至15%-18%区间。

主要原因包括：第一，消费电子市场进入存量换机周期，智能手机和PC的出货量增长乏力，但单机存储容量继续提升（高端手机已普遍采用1TB/2TB规格）；第二，企业级SSD采购在经历两年高速增长后，部分头部云服务商将进入消化库存阶段；第三，AI大模型训练对存储的极端需求可能被更高效的存算一体架构部分替代。

“需求增长不会消失，但会从爆发式增长回归到稳健增长。”集邦咨询分析师表示，“供给端在2027年将形成明显过剩，从而有效弥合当前的缺口。”

2027年下半年：转折点到来

综合供需两侧的节奏，集邦咨询在报告中明确预测：2027年第三季度至第四季度，NAND Flash市场将正式进入供过于求的平衡区间，届时紧缺压力将显著缓解。价格方面，预计2027年下半年NAND Flash合约价格可能较2026年同期下降15%-20%，企业级SSD的每GB成本有望重回0.03美元以下。

这一转折对产业链影响深远：对于数据中心运营商和云服务商而言，存储成本下降将降低AI基础设施的总体拥有成本，进一步刺激应用落地；对于消费电子厂商，存储成本的下行将加速大容量机型的普及；而对于上游原厂，激烈的市场竞争将倒逼行业整合与技术差异化竞争，部分中小厂商可能面临生存压力。

展望：周期波动中的新常态

存储芯片行业历来具有强周期属性，NAND Flash市场的供需转换往往每3-5年经历一轮。本次从2023年短缺到2027年缓解的周期，反映出AI红利下需求端爆发与供给端快速响应的新特征。

专家提醒，尽管2027年下半年紧缺压力有望缓解，但地缘政治风险、原材料供应不确定性以及汇率波动等因素仍可能扰动供给结构。产业链各方应提前做好库存管理与产能规划，以应对后续可能出现的价格波动。

总体而言，NAND Flash市场的长期供需矛盾已开始趋于缓和，2027年将是行业从“供不应求”走向“供需平衡”的关键转折之年。届时，一个更加健康、可持续的存储产业生态有望逐步形成。