近日，国内氧化镓（Ga₂O₃）半导体材料领域的领军企业——北京铭镓半导体有限公司（以下简称“铭镓半导体”）宣布完成超1.5亿元Pre-B轮融资。本轮融资由知名投资机构领投，多家产业资本跟投，所募资金将主要用于氧化镓单晶衬底材料产能扩建、技术研发迭代以及市场拓展，进一步巩固公司在第四代半导体材料领域的先发优势。
深耕氧化镓赛道，构建核心技术壁垒
铭镓半导体成立于2020年，是国内最早专注于氧化镓单晶衬底及外延片研发、生产与销售的高新技术企业之一。氧化镓被认为是最具潜力的第四代超宽禁带半导体材料，其禁带宽度约4.8eV，远超碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），在高压、大功率、高温、高频等应用场景中展现出显著优势。尤其在电力电子、射频器件、日盲紫外探测等领域，氧化镓材料被视为下一代核心基础材料。
公司创始团队来自中科院等顶尖科研机构，在氧化镓晶体生长、加工及外延技术方面拥有十余年积累。目前，铭镓半导体已实现2英寸、4英寸氧化镓单晶衬底的批量供货，并具备6英寸衬底的研发能力，产品关键性能指标达到国际先进水平。公司自研的导模法（EFG）晶体生长技术突破了大尺寸、低缺陷单晶衬底的量产瓶颈，是国内唯一实现该技术产业化的企业之一。
融资加速产能与研发双轮驱动
据铭镓半导体官方披露，本轮融资规模超过1.5亿元人民币，是继2022年完成数千万元A轮融资后的又一次重要资本动作。投资方包括国内头部半导体产业基金、地方国有资本以及产业链上下游企业，显示出资本市场对第四代半导体材料前景的强烈信心。
公司创始人、董事长在接受采访时表示：“本轮融资将主要用于三方面：一是建设新一代氧化镓单晶衬底规模化生产线，计划将现有产能提升3倍以上；二是加大6英寸及以上大尺寸衬底和外延片技术的研发投入，力争在2025年实现大尺寸产品的量产突破；三是深化与下游电力电子、光电探测等应用企业的合作，加速产品导入验证周期。”
值得注意的是，本轮融资也吸引了多家功率半导体器件厂商的参与，表明产业链上下游正在形成协同创新合力。有投资方代表指出：“氧化镓器件有望在400V以上高压场景中替代部分碳化硅器件，且成本优势明显，铭镓半导体在衬底材料端的突破将直接推动下游器件的国产化进程。”
行业前景广阔，国产替代正当时
近年来，随着新能源汽车、光伏逆变器、特高压输电、数据中心电源等市场对高效能功率器件的需求爆发，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体已进入快速发展期。而氧化镓作为第四代材料的代表，凭借更高的击穿场强和更低的导通电阻，被认为有望在超高压领域（超过1200V）实现超越。
据Yole Group预测，全球氧化镓功率器件市场规模将在2030年达到近30亿美元，年复合增长率超过40%。然而，目前全球氧化镓衬底市场主要由日本企业主导，我国在该领域的国产化率仍处于极低水平。铭镓半导体的快速成长，正是国产替代浪潮下的一个缩影。
行业分析人士指出，氧化镓材料产业化面临的主要挑战在于晶体生长缺陷控制、大尺寸衬底制备以及热导率较低带来的散热问题。铭镓半导体在导模法技术上的持续优化，以及在高导热复合衬底结构上的探索，正在逐步破解这些难点。
展望：从材料突破到生态共建
完成本轮融资后，铭镓半导体计划进一步扩大研发团队，并在北京总部建设国内首个氧化镓材料与应用联合实验室，吸引更多高校和器件厂商参与协同创新。公司还表示，将积极布局海外市场，通过技术授权或合作建厂等方式参与全球竞争。
在碳化硅、氮化镓国产化如火如荼的当下，氧化镓这个稍显“小众”但潜力巨大的赛道正迅速升温。铭镓半导体凭借先发技术优势和资本加持，有望成为推动中国第四代半导体材料走向产业化的关键力量。未来，随着衬底成本的进一步下降和器件性能的持续突破，氧化镓或将改写功率半导体的技术版图。