本报记者 张毅 北京报道

2025年7月28日,备受瞩目的中国DRAM芯片领军企业——长鑫科技集团股份有限公司(以下简称“长鑫科技”)正式在上海证券交易所科创板挂牌上市。股票代码“688XXX”,首日开盘价为38.88元/股,较发行价23.50元/股大幅高开65.45%,截至收盘报42.15元/股,涨幅79.36%,总市值突破2100亿元。这标志着中国半导体存储产业迎来里程碑式的一刻,长鑫科技也成为继中芯国际、华虹半导体之后,科创板市值最高的半导体制造企业之一。

十年磨一剑,国产DRAM从追赶到突破

长鑫科技的前身可追溯至2016年成立的合肥长鑫集成电路有限公司,是中国大陆首家实现自主研发并量产DRAM芯片的企业。经过近十年发展,公司已建成两座12英寸晶圆厂,月产能突破15万片,产品覆盖DDR4、DDR5、LPDDR5、GDDR6等主流及高端系列,广泛应用于消费电子、服务器、汽车、工业控制等领域。

招股书显示,长鑫科技2024年实现营业收入412.6亿元,同比增长63.2%;净利润为68.5亿元,首次实现年度盈利。公司研发投入占营收比例连续三年超过20%,累计申请国内外专利超过1.2万项,其中发明专利占比超过85%。在技术路线方面,长鑫科技已实现17nm制程量产,并成功研发15nm制程样品,与国际头部企业的差距从过去的5代缩小至1.5代。

本次IPO,长鑫科技公开发行股票6.5亿股,募集资金净额约150亿元,将主要用于新一代DRAM技术研发、产能扩建以及先进封装产线建设。公司董事长兼CEO王宁在上市仪式上表示:“上市不是终点,而是长鑫科技加速融入全球半导体产业链、实现技术超越的新起点。”

市场热捧,背后是国产替代的深层逻辑

长鑫科技上市首日即获得超700倍的超额认购,机构投资者包括国家集成电路产业投资基金(大基金)、社保基金、多家公募基金及境外主权财富基金。市场热情背后,是国产DRAM芯片巨大的替代空间。

目前全球DRAM市场仍由三星、SK海力士、美光三家巨头垄断,合计市占率超过95%。中国作为全球最大的DRAM消费市场,每年进口金额超过400亿美元,自给率不足5%。长鑫科技的崛起,不仅打破了海外厂商的绝对垄断,更在系统性风险背景下为国内供应链安全提供了重要支撑。

中芯国际联席CEO赵海军在上市路演中评价:“长鑫科技是中国半导体产业在存储领域最成功的突破案例,其上市将带动整个产业链的协同发展。”

挑战犹存,长鑫科技仍需跨越三重门槛

尽管前景广阔,但长鑫科技面临的挑战不容忽视。首先是技术追赶压力。三星、SK海力士正在加速推进1b nm及更先进制程,而长鑫科技目前最先进的17nm量产节点与其仍有代差。其次是产能规模不足。即便满产,长鑫科技全球市占率也仅约3%,与头部企业动辄每月50万片以上的产能相去甚远。第三是地缘政治风险。美国对华半导体出口管制持续加码,长鑫科技的主要光刻机、沉积设备等仍依赖进口,关键零部件供应链存在不确定性。

半导体行业分析师陈亮指出:“长鑫科技上市获得高估值,体现了市场对国产替代逻辑的高度认可。但公司要真正实现盈利稳定和技术领先,还需要持续投入数百亿元,并建立起与全球生态厂商的深度合作。”

产业协同:从单点突破到生态重构

长鑫科技的成功上市,也对整个半导体产业链产生辐射效应。其上游供应商如北方华创、中微公司、沪硅产业等均有望获得更大订单;下游封测环节的长电科技、通富微电等也将受益于本土存储芯片扩产。此外,长鑫科技与国内服务器厂商如浪潮、华为等已建立联合实验室,推动国产DDR5内存在企业级市场的应用。

展望未来,长鑫科技计划在2026年底前将月产能提升至25万片,并启动第三座晶圆厂建设。公司还透露已启动HBM(高带宽内存)产品的研发,以切入AI算力芯片的存储蓝海。

正如公司董事长王宁所言:“存储芯片是信息时代的‘石油’,长鑫科技将不负使命,让中国在全球存储产业中拥有真正的话语权。”长鑫科技的上市,不仅是一家企业的资本盛宴,更是中国半导体产业从“跟跑”到“并跑”的生动注脚。在这条布满荆棘却又充满希望的赛道上,长鑫科技需要更多时间,也需要更多耐心。