本报记者 张锐
2025年6月12日 纽约电

当地时间周三，美股存储芯片板块迎来久违的集体爆发。截至收盘，美光科技（Micron Technology）大涨6.8%，西部数据（Western Digital）上涨5.2%，三星电子（Samsung Electronics）美股ADR涨幅达4.5%，SK海力士（SK Hynix）ADR同步走高4.1%。费城半导体指数当日上涨2.3%，存储芯片细分领域成为领涨主力。

这一轮反弹并非偶然。自2024年下半年以来，全球存储芯片市场经历了长达三个季度的深度调整，DRAM（动态随机存取存储器）和NAND Flash（闪存）价格一度跌至成本线以下，行业库存高企，三星、SK海力士、美光三大原厂被迫启动减产措施。然而，进入2025年第二季度，供需格局正悄然生变。

多重利好共振驱动反弹

首要驱动力来自AI算力爆发对高带宽存储器（HBM）的强劲需求。随着英伟达、AMD等AI芯片厂商加速迭代，HBM3e及下一代HBM4的订单持续攀升，成为存储巨头利润增长的核心引擎。美光在5月底发布的财报中透露，其HBM产品已连续两个季度实现翻倍增长，且2025年全年产能已被客户预订一空。这一超预期表现直接点燃了市场对存储芯片复苏的预期。

此外，传统DRAM与NAND Flash价格出现企稳迹象。据集邦咨询最新数据，6月上旬DRAM现货均价较上月环比上涨1.2%，NAND Flash价格指数结束连续五个月下跌，跌幅收窄至0.3%。分析人士指出，三大原厂的减产效果正逐步显现，供给端收缩叠加AI服务器、PC换机潮带来的需求边际改善，行业周期拐点或已临近。

产业链复苏信号增多

从产业链角度看，存储芯片的周期属性尤为突出。过去数十年间，该行业大约每3至4年经历一轮“繁荣—萧条—复苏”循环。当前时点，行业库存周转天数已从2024年四季度的16周下降至12周左右，接近健康水平。同时，三星电子近期宣布将在下半年扩大减产幅度10%，进一步表明了原厂“保价稳市”的决心。

西部数据作为全球机械硬盘与NAND供应商，近期在投资者交流会上表示，其企业级SSD出货量创下历史新高，数据中心客户资本开支有回暖迹象。该公司股价自5月中旬低点已累计反弹超过15%。

机构上调评级，但需警惕风险

随着板块回暖，华尔街多家机构上调了存储芯片股的评级。摩根士丹利发布报告称，HBM需求将推动存储行业在2025年下半年进入“实质性复苏”阶段，将美光目标价从110美元上调至135美元。花旗银行则看好SK海力士在HBM领域的领先地位，称其有望成为AI时代存储市场最大赢家。

不过，也有分析人士提示，当前反弹能否持续仍面临不确定性。一方面，全球宏观经济放缓压力犹存，消费电子、传统PC需求复苏可能低于预期；另一方面，部分厂商在涨价预期下已开始提前备货，可能透支后续需求。此外，中国等非核心市场的竞争加剧、地缘政治风险等变量也不容忽视。

展望未来：周期底部或已确认

综合来看，美股存储芯片板块的反弹反映了市场对行业周期见底的一致预期。AI对算力的渴求正从英伟达GPU向存储、接口、封装等全产业链外溢，HBM的爆发性增长为传统存储注入了新的动能。尽管短期波动难以避免，但行业长期向好的逻辑正在确立。

对于投资者而言，当前阶段或许是布局存储芯片板块的关键窗口。正如一位华尔街基金经理所言：“每一次存储芯片的周期底部，都孕育着下一次技术变革的起点。”