（上海，2025年1月15日电） 备受瞩目的国产DRAM（动态随机存取存储器）龙头——长鑫科技（股票代码：688XXX）今日正式登陆科创板。上市首日，公司股价高开高走，截至收盘报收90.00元/股，较发行价50.00元/股大涨80%。以中一签（500股）计算，投资者账面盈利高达2万元，成为近期A股打新市场最亮眼的新股之一。

长鑫科技本次公开发行股票数量为2.5亿股，发行价格为50.00元/股，对应市盈率为45倍，略高于行业平均水平。网上发行中签率仅为0.036%，凸显市场对其追捧程度。早盘集合竞价阶段，股价即跳涨至82.00元，此后全天维持高位震荡，尾盘资金再度涌入，最终定格于90.00元，全天换手率高达72%，成交额突破180亿元。

深度绑定国产替代逻辑，DRAM芯片“皇冠明珠”终上市

长鑫科技是我国唯一实现DDR4、DDR5 DRAM存储器大规模量产的企业，打破了海外巨头数十年的垄断。公司成立于2016年，总部位于安徽合肥，历经8年攻坚研发，成功掌握了19nm、17nm等先进制程工艺，产品广泛应用于个人电脑、服务器、智能手机及物联网等领域。根据第三方机构数据，2024年长鑫科技在全球DRAM市场的份额已攀升至4.2%，稳居国内第一。

招股书显示，长鑫科技2023年营收为235亿元，同比大幅增长63%；净利润达32亿元，首次实现扭亏为盈。2024年前三季度，公司营收已突破260亿元，净利润超45亿元，盈利持续改善。本次IPO募集资金约125亿元，主要用于先进制程升级、自有产能扩建以及下一代3D DRAM技术研发。业内人士指出，长鑫科技上市不仅为自身扩张提供了弹药，更意味着中国半导体存储器产业已进入资本加速阶段。

打新“赚钱效应”引爆市场情绪，机构长线看好

“中一签赚2万，好久没见过这么赚钱的新股了！”上海一位中签投资者王先生向记者表示。据统计，今年以来科创板新股上市首日平均涨幅为45%，长鑫科技80%的涨幅远超均值，在半导体板块中亦属前列。分析人士认为，高涨幅背后有三重逻辑：一是国产替代主题持续升温，长鑫科技是绕不开的标杆；二是公司基本面扎实，亏损期已过，成长路径清晰；三是发行市盈率相对合理，为二级市场留出空间。

中信证券电子行业首席分析师李阳表示：“DRAM是半导体中价值量最大、壁垒最高的细分品类之一。长鑫科技的上市，有望重塑全球竞争格局。从估值角度看，对比国际巨头三星、SK海力士（均在20倍左右），长鑫科技45倍PE看似偏高，但考虑到其处于高速成长期、国产替代红利尚未完全释放，成长性溢价应当给予。长线来看，伴随产能爬坡和良率提升，公司市值有望向千亿甚至更高迈进。”

风险提示：前期涨幅已部分透支，警惕冲高回落

狂欢背后，风险亦不容忽视。首先，长鑫科技上市首日换手率极高，说明抛压较重，后续面临解禁压力。其次，全球DRAM行业呈周期性波动，2024年下半年以来价格已有回调迹象，若下游需求走弱，公司营收增速可能放缓。第三，公司目前产能仍集中在DDR4等成熟产品，DDR5、HBM（高带宽内存）等高端产品研发进度存在不确定性。

深圳某私募基金经理提醒：“打新中签的投资者可考虑在首日或次日获利了结。对于未中签者，不宜在极高换手阶段盲目追高。半导体周期叠加市场情绪，短期波动较大，建议等待回调后逢低关注。”

结语

长鑫科技的成功上市，是中国半导体产业链自主可控的重要里程碑。一签赚2万的市场反应，折射出投资者对国产存储芯片突破的极高期待。但“芯片突破”从来不是一蹴而就，长鑫科技的未来，仍需在技术迭代、良率爬坡以及全球博弈中交出答卷。对于普通投资者而言，既要看到黄金赛道，也要守住安全边际。